研究双轴应变对单层CdZnTe半导体材料电子特性与光学性能的影响，可为制备光学性能优异的CdZnTe器件提供理论支持。本文采用Material Studio 软件构建单层CdZnTe模型，并在其(100)和(010)方向上施加应变。基于密度泛函理论的第一性原理模拟计算了单层双轴应变对单层CdZnTe带隙、载流子有效质量、迁移率和介电常数等性能的影响。结果表明，拉伸和压缩应变均能减小单层CdZnTe的带隙，且双轴应变可有效调控单层CdZnTe的载流子有效质量、迁移率和介电常数。与拉伸应变相比，相同大小的压缩应变对单层CdZnTe性能的调控更加明显。随施加双轴压缩应变的增大，单层CdZnTe的带隙值逐渐减小，CdZnTe半导体吸收光的波长范围得到提高，单层CdZnTe的载流子有效质量、迁移率总体呈下降趋势，介电常数实部逐渐下降，虚部逐渐上升，意味着单层CdZnTe的金属性增强，光学性能提高。

压电驱动装置具有纳米级/微米级定位的特性, 被广泛应用于精密控制运动平台中, 故对压电驱动装置的速度和精度的要求越来越高。根据步进式压电马达驱动原理, 结合四足压电驱动装置动力学模型, 设计了一种用于新型叠堆结构的四足压电驱动装置的驱动电源。该电源是高电压为±250 V和高频率为1.5 kHz的线性电源, 且采用硬件阻抗补偿和信号切换两种策略, 进一步解决了容性负载对信号频宽影响的问题, 使四足压电驱动装置高精度恒速输出。同时应用硬件在环仿真与测试的方法搭建了实验平台。实验结果表明, 在精度为1 nm分辨率的激光干涉仪采集设备中, 实现了点对点50.7 nm的四足压电驱动装置的运动测试。

Graphene saturable absorber (SA) is used as the passive Q-switcher of a 0.9-\mu m solid-state laser. When the laser medium is a Nd:La0.11Y0.89VO4 crystal, the initial transmittance of the graphene SA is 78%; at an absorbed pump power of 7.62 W, the maximum average output power, largest pulse energy, and minimum pulse width are 0.62 W, 2.58 μJ, and 84 ns, respectively. This study shows that graphene is a promising and cost-saving SA for 0.9-\mu m pulse generation.